【热点速读】
1、铠侠拟2027年实现1,000层3D NAND，西部数据或不跟进
2、韩国6月1-20日半导体出口飙升50.2%
3、美光台湾后里厂区起火，营运未受影响
4、为提升产量，台积电积极探索矩形基板芯片封装技术
5、英特尔3nm制程Intel 3已进入量产：目前自用，未来将对客户开放
1、铠侠拟2027年实现1,000层3D NAND技术路线，西部数据或不跟进
铠侠近日概述了其1,000层3D NAND的技术路线图。通过推断过去的趋势并改进NAND单元技术，3D NAND层数普遍从2014年的24层增加到2022年的238层，八年间增长了10倍。铠侠表示，以每年1.33倍的增长率，到2027年将可达到1,000层的水平。
铠侠正在与其他存储原厂竞争，以达到旗舰级NAND密度水平，从而保持并扩大其市场份额。
但其合作伙伴西部数似乎另有看法，西部数据执行副总裁Robert Soderbery 6月10日在投资者会议上指出，3D NAND 的制造成本高于2D NAND。3D时代的NAND需要更高的资本强度，但随着位密度的增加，成本降低幅度较小。西部数据没有直接谈论其与铠侠的合作，称这种情况是“层数竞赛的终结”。
Soderbery表示，为了优化资本部署，NAND层数的增长速度将会放缓。值得注意的是，他宣称：“我们不再像仓鼠一样在层数迁移中奔跑。3D NAND层数节点必须持久耐用、功能丰富且面向未来。”
换句话说，任何特定节点的使用寿命都将延长，西部数据将寻求在节点级别上实现资本支出回报最大化。Soderbery表示，这意味着其策略将是利用西部数据更强大的客户关系为高端用例提供高端节点。大客户向西部数据提供需求信息，西部数据将承诺通过制造安排来满足该需求。
西部数据和铠侠已宣布其218层的BiCS 8代 3D NAND 产品技术。BiCS 9 和 BiCS 10代产品预计将达300和400+层。这些距离 1,000层还很远。考虑到西部数据对资本支出和投资回报的看法，可理解为其可能不愿意加入铠侠在2027年前实现达到 1,000层所需的多个层级跃升。西部数据希望减缓层级增长率，而不是维持或增加它。
2、韩国6月1-20日半导体出口飙升50.2%
韩国关税厅（海关）初步核实数据显示，韩国6月前20天出口额为357.51亿美元，同比增加8.5%。
开工日数（14.5天）与去年同期持平，按开工日数计算的日均出口额同比增长8.5%。单月出口额从去年10月至今年5月连续8个月保持增势，6月有望持续增长。
分品目看，半导体出口额同比增长50.2%。以单月为准，半导体出口额自去年11月以来持续实现两位数增长。
分地区看，对美国(23.5%）、中国（5.6%）、越南（30.7%)出口增长。对美出口额为71.34亿美元，超过对华出口额（70.34亿美元）。对欧盟出口减少7.3%。
3、美光台湾后里厂区起火，营运未受影响
据台媒报道，美光台湾地区一厂（后里厂）20日下午5点34分传起火并有气体外泄冒白烟，消防局抵达时厂区人员已将火势扑灭，无人受伤，原因尚未查明 。美光有多达65％的DRAM产品在台湾地区生产。
台湾美光20日深夜发布声明称，台中厂火警人员无虞，厂区营运未受任何影响。
4、为提升产量，台积电积极探索矩形基板芯片封装技术
据日媒报道，台积电正在探索一种新的先进芯片封装技术。这项技术的核心是使用矩形基板来代替传统的圆形晶圆，以实现在每个晶圆上放置更多的芯片，从而提高生产效率。
消息人士透露，目前台积电正在试验的矩形基板尺寸为510mm*515mm，其可用面积是圆形晶圆的三倍多。采用矩形基板的另一个优势是边缘剩余的未使用面积会更少，这将极大提升材料的利用率。
尽管这项研究还处于早期阶段，但台积电已经在新形状基板上的尖端芯片封装中遇到了一些技术挑战，尤其是在涂覆光刻胶方面。为了推动这一变革，需要台积电这样的行业巨头来推动设备制造商改变设备设计。
芯片封装技术在半导体行业中的重要性日益增加，它不仅关系到半导体技术的进步速度，还对高性能计算芯片的生产至关重要。例如，英伟达的H200或B200 AI计算芯片，就需要依赖台积电的先进芯片封装技术CoWoS来实现高效的数据吞吐量和加速的计算性能。
目前，台积电为英伟达、AMD、亚马逊和谷歌等公司生产的AI芯片使用的是12英寸硅晶圆，这是目前最大的晶圆尺寸。然而，随着芯片尺寸的增加，12英寸晶圆的容量逐渐显得不足。据摩根士丹利的估计，较早的H200和H100芯片可以在一片晶圆上封装大约29套，而12英寸晶圆上只能制造16套B200，这还是在生产良率达到100%的理想情况下。
5、英特尔3nm制程Intel 3已进入量产：目前自用，未来将对客户开放
据外媒报道，英特尔晶圆代工技术研发副总裁Walid Hafez 19日表示，其3nm制程Intel 3在奥勒冈厂及爱尔兰厂已进入量产阶段，生产包括最近发布的Xeon 6处理器「Sierra Forest 」及「Granite Rapids」。
Intel 3目前仅用来生产Xeon 6处理器，但Intel Foundry最终将会运用这项制程为客户代工数据中心等级的处理器。
除了基本版Intel 3外，英特尔也将提供支持直通硅晶穿孔(Through-Silicon Via)封装技术的Intel 3T。未来，英特尔还将推出功能更提升的Intel 3-E，可应用于芯片组及存储技术，而Intel 3-PT则可应于广泛的负荷规格，例如AI/高效能运算(HPC)以及一般用途的PC。
截至目前，Intel 4、Intel 3是英特尔最先进的制程，落后于台积电的3nm等级制程「N3」。英特尔预计其18A及之后的制程，将在效能、功耗及面积(Performance、Power、Area，简称PPA)方面领先业界。
英特尔CEO Pat Gelsinger曾指出，在18A工艺和台积电的N2工艺方面，两者的晶体管技术相差无几，并没有明显的领先者。然而，业界普遍认为英特尔在晶背供电技术上更为出色。这项技术提升了硅晶片的面积效率，这不仅意味着成本的降低，同时也意味着在供电方面的表现更为出色，从而提高了性能。与此同时，台积电的封装成本相对较高，而英特尔则有望逐步提高其毛利率。
