抵御存储行情周期波动,铠侠两大法宝并进!发表时间:2024-05-09 16:10 2022年四季度起,为应对终端需求不振和产业链库存高企双重打击导致的业绩亏损,存储原厂相继发动减产自救并下调2023年资本开支计划,缓解供给过剩局面。其中,铠侠和美光是此番减产的先锋部队,三星也在次年跟进。去年下半年以来,随着原厂减产逐渐奏效以及终端库存消化完成,存储行情实现V型反转。 时间来到当前节点,随着存储行情连续三个季度上扬,以及产品迭代升级,原厂正收敛减产幅度,谨慎恢复产能,存储供应已较四季度最紧张时有所好转。其中,铠侠从2022年10月开始,启动减产计划,在日本四日市和北上NAND Flash晶圆厂减产约30%。近期有媒体报道称铠侠欲停止减产,3月将NAND工厂稼动率提升至9成。 对此,铠侠电子(中国)有限公司董事长兼总裁岡本成之、高级技术顾问户谷得之以及闪存颗粒技术统括部总经理大久保贵史,回应停止减产传闻并探讨铠侠如何看待后市发展以及铠侠在应用市场和技术路线有哪些布局? 存储行情上涨,原厂迎来业绩回暖,铠侠回应停止减产传闻! 据日媒报道,铠侠正准备更改原本的减产计划,今年3月铠侠将把NAND工厂的稼动率提升至90%,并称将阻止经营业绩的恶化,确保巨额投资资金,实现扭亏为盈。铠侠电子(中国)有限公司董事长兼总裁岡本成之表示,“这不是铠侠正式发布的消息。关于具体的生产,今后将详查需求趋势,做出判断。” 根据CFM闪存市场统计,三星、SK海力士、美光、铠侠和西部数据五家原厂合计亏损,从Q1亏损100亿美元收敛至Q2亏损85亿美元,再到Q3亏损65亿美元,虽然亏损幅度在收敛,甚至部分业务已经扭亏为盈,但2023年以来的累计亏损依然高达250亿美元。2023年全年,铠侠存储营收达71.62亿美元,从营业利润率上来看,铠侠从1Q23低谷逐季回升,且亏损幅度逐渐收窄。 注:1.三星的运营利润为存储业务所在的DS部门经营利润;2.三星、海力士、美光的存储业务包含NAND Flash和DRAM,铠侠和西部数据的存储业务指的是NAND Flash;3.三星和SK海力士财报周期为2024年第一季度(2024.01-2024.03),西部数据财报周期为2024年第三财季(2024.01-2024.03),美光财报周期为2024年第二财季(2023.12-2024.02),铠侠2023年第四季度财报(2024.01-2024.03)未出;4.数据来源:各公司财报,图表制作:CFM闪存市场。 铠侠继续深挖技术潜力,聚焦前沿存储技术研发 在2022年四季度宣布减产的同时,铠侠并没有停止技术研发的步伐,新一代BiCS FLASH 3D闪存技术的研发和投产进程加快,以提高产品性能和竞争力,目前已推出最高218层的BiCS FlASH闪存产品。 在存储阵列和逻辑电路排布上,CuA(CMOS under Array)是当前的主流架构,也是铠侠采用的主要架构之一,比如BiCS6。而在2023年铠侠CFMS演讲中提到铠侠218层NAND flash已经开始转向CBA技术路线,CBA技术即每个CMOS晶圆和存储阵列晶圆在优化状态下分别制造,然后键合在一起,以提供更高的比特密度和更快的NAND I/O速度。在闪存开发方针方面,铠侠表示从以下4个角度考虑:一是 Lateral Scaling (横向提高密度)、Vertical Scaling(纵向提高密度)、Architecture Scaling(架构提高密度)、Logical Scaling(逻辑性提高密度)。 对于3D NAND而言,堆叠层数提高是实现存储密度增长的有效途径之一。消息称,SK海力士预计在2025年上半年量产321层NAND Flash;三星的V-NAND已经推进到第九代,将在明年初量产,基于双堆栈架构,可达成业界最高堆叠层数,预计超过300层,三星可能会在2030年左右做到1000层。而铠侠方面也表示,堆叠层数从技术上可以堆叠至1000层以上,但是具体到推向市场的时间需要基于市场需求,技术演进等,在最合适的时间推广。 另外,在QLC技术布局上,铠侠闪存颗粒技术统括部总经理大久保贵史表示,“随着客户对大容量存储的需求的增加,铠侠向市场推介了QLC产品,最近我们也开始提供基于QLC的UFS4.0量产样品。通过这类产品在手机等嵌入式系统中的使用更好地对应了客户的大容量的要求。同时我们也通过更低的成本来实现了更高的性价比,以向市场更好地推荐该类产品。” 铠侠:致力于通过加快研发进程及削减生产成本减少行业周期性波动影响 作为全球存储原厂之一,多年来,铠侠始终秉持初心,凭借出色的存储解决方案立足于全球闪存市场,其SSD、存储卡、嵌入式存储等存储产品获得市场的广泛认可。在市场应用方面,铠侠产品广泛应用在智能手机、电脑、数据中心、汽车等多个领域。 在车用存储市场,今年年初,铠侠正式发布了业界首款面向车载应用的UFS 4.0嵌入式闪存。值得注意的是,这款新产品采用了小型封装,提供了快速的嵌入式存储传输速度,适用于多种新一代车载应用,如车载远程信息处理系统、信息娱乐系统以及ADAS系统。铠侠的车载UFS产品性能显著提升,顺序读取速度提升约100%,顺序写入速度也有大幅提升。大久保贵史表示会持续开发业界最领先的车载UFS及相关存储产品,为进一步提高汽车客户的驾乘体验做出贡献。 面对后市发展,岡本成之表示,“目前,铠侠的客户一直进行调整库存,NAND供需平衡有改善倾向。另外,目前消费电子,例如智能手机大容量存储机型也在增加,加上换购需求等,预计市场将进一步回暖。2024年后半期,数据中心、企业级SSD市场也有望回暖。铠侠将继续致力于加快主力产品的研发速度和削减生产成本,做到不论市场行情如何,都能切实地创造效益。” 结束语 在以ChatGPT 为代表的生成式人工智能的推动下,AI大浪潮时代开启,HBM、DDR5 和SSD等适用于AI服务器的存储产品的需求将进一步增加。随着AI应用需求不断提升,铠侠提供了许多高密度、高灵活的存储解决方案,并持续关注前沿接口技术发展,深挖PCle、EDSFF技术潜力。铠侠高级技术顾问户谷得之表示,“在AI服务器中,DRAM和SSD是结合使用的,且对DRAM和SSD都有着更高速度的要求。其中,在AI的学习部分,对于使用DRAM作为媒介的架构,业界也提出了使用NAND作为媒介架构的想法。对此,铠侠也在做相关工作,调查研究使用NAND和SSD在服务器等AI设备中的相关课题。”未来铠侠也将凭借自身显著的先发优势及行业领先的存储技术,继续引领行业发展潮流,不断赋能AI、云计算、智能汽车等新经济增长。 |