DRAM/NAND Flash随着价格自去(2023)年第三季起陆续涨价，且因AI应用需求获看好，原厂也拟渐渐将减产幅度缩小，渐渐拉升稼动率，而即便如此，模组厂商认为，原厂先前减产幅度深，增产速度会受限且资源会放在制程难度高的HBM、DDR5，所以产量的增加没那么快，相对全年仍看存储可维持涨势不变。威刚董事长陈立白表示，受到上游原厂产能大幅调配至AI应用的HBM与先进制程难度更高影响之下，预期上游原厂的DRAM产出将相当受限，而伴随市场需求稳步回升，下半年DRAM供给将转趋吃紧；另一方面，NAND Flash上游原厂虽然第二季开始逐步恢复先前减产的产能，估也会相对节制。宇瞻认为，全年存储价格看涨，即便原厂渐拉升稼动率，也只是涨幅收敛；过去1年供应端产能减幅已达30-50%不等，涨幅则会渐渐随着增产而收敛，但都还是维持涨势。目前需求都以AI应用为主，包括HBM以及DDR5，一方面帮助DRAM库存去化，且原厂增产也都以DDR5及HBM为主，Flash则放在逾100层以上的产品，且因高效产品制程长，Wafer从投片到颗粒产出时间拉长、产出也变少，所以产能利用率虽然慢慢提升，但实际可增加的产量有限，另外在产能排挤效应下，DDR4价格会变好。群联认为，NAND Flash原厂要有合理毛利率才会持续提升产能，以供应市场所需，若原厂下半年不宣布增产，明年NAND可能会陷入短缺。十铨也表示，原厂带动DRAM及NAND Flash涨势明确且有望延续，展望今年，公司持续提高技术层面，推出更多元高规格内存与储存方案，市场渗透率也持续上扬，持续推升全球市场竞争力。据日经新闻报道，因看好PC将出现换机需求，买方(客户)为了稳定采购、接受存储厂商的涨价要求，带动在智能手机、PC、数据中心服务器上用于暂时储存数据的DRAM价格连4个月上涨。2024年2月份指标性产品DDR4 8Gb批发价(大宗交易价格)为每个1.95美元左右、较前一个月份(2024年1月)上涨5%，容量较小的4Gb产品价格为每个1.50美元左右、较前一个月份上涨7%，价格皆为连续第4个月扬升。和去年同月相比、分别扬升15-22%。DRAM批发价格为存储厂商和客户间每个月或每季敲定一次。报道指出，之前因行情低迷、导致业绩恶化的存储厂商为了改善获利、持续要求涨价，而买方为了避免未来采购发生问题、重视维持和存储厂商之间的关系，因此接受涨价。美国调查公司Gartner去年(2023年)12月发表预估报告指出，在存储有望出现2位数增长的推动下，预估2024年将是反弹之年、全球半导体营收预估将弹升至6240亿美元、将年增17%。Gartner指出，2024年存储需求将呈现强劲复苏、营收预估将暴增66.3%，其中2024年Flash Memory营收预估将暴增49.6%、DRAM营收预估将暴增88%。受人工智能和高效能运算（HPC）影响，近两年高带宽内存(HBM) 产品发展加速，推动存储商营收成长。GPU大厂英伟达HBM合作伙伴SK海力士目前HBM市场处于技术领先地位，大量供应HBM3高带宽内存给英伟达。据韩国中央日报报道，与SK海力士在HBM3遥遥领先不同，到了HBM3e情况似乎出现了变化，美光和三星的加入让市场竞争变得越来越激烈。2023年美光、SK海力士和三星先后都递交了HBM3e样品给英伟达，用于下一代AI GPU的资格测试。这也是英伟达为了保证下一代产品供应来源，规划加入更多的供应商的计划。三星、SK海力士、美光三家供应商，美光2023年7月，推出业界首款带宽超过1.2TB/s、插脚速度超过9.2GB/s、八层堆叠24GB容量的HBM3e，采1β（1-beta ）制程，又透露HBM3e样品性能更强，功耗更低，实际效能超过预期，也优于竞争对手，客户大吃一惊后迅速下订单。美光还准备12层堆叠36GB容量HBM3e，特定堆叠高度下容量增加了50%。美光之所以先获英伟达采购，又将HBM3e用于新一代H200 AI芯片上，使得美光近期竞争中攻上领先位置，凭借的是制程技术上的优势。目前SK海力士占据了54%的HBM市场，而美光仅为10%。但随着手握英伟达的供应订单的优势，未来形势可能对当前的龙头——SK海力士造成冲击。市场预期，HBM市场领头羊SK海力士不会坐以待毙，向英伟达递交新12层堆叠HBM3e样品，以验证测试。近期三星宣称发展同类型产品，容量为36GB的12层堆叠HBM3e。下代HBM4可能要2026年才问世，所以在此之前，预计HBM市场竞争将会变得
慧荣推出专为AI手机设计的6纳米UFS 4.0主控
全球NAND闪存控制芯片领导厂商慧荣科技13日宣布推出SM2756 UFS 4.0控制芯片，成为慧荣科技UFS控制芯片系列中的旗舰款，以应对快速成长的AI智能手机、车用和边缘运算等高效能应用需求。另也宣布推出全新第二代UFS3.1控制芯片SM2753。慧荣的UFS控制芯片系列已成为目前业界最广泛的产品组合，支持从UFS4.0到UFS2.2各种标准，也支持最广泛的NAND Flash，包括次世代高速的3D TLC和QLC NAND，为旗舰、主流和入门级的移动和运算设备提供高效能、低功耗的嵌入式解决方案。SM2756是全球最先进的UFS 4.0控制芯片解决方案，以领先的6纳米EUV技术为基础，并运用MIPI M-PHY低功耗架构，使其在效能与功耗间取得完美的平衡，满足现今顶级AI移动设备全天候运算需求。SM2756顺序读取速度超过每秒4300MB，顺序写入速度超过每秒4000MB，支持各种3D TLC和QLC NAND，且支持容量最高可达2TB。全新的第二代SM2753 UFS 3.1控制芯片解决方案采用高速序列连结的MIPI M-PHY HS-Gear4 x 2-Lane和SCSI架构模型(SAM)，展现无与伦比的效能。继SM2754 UFS3控制芯片的成功上市，慧荣科技进一步推出主打单通道设计的SM2753，支持次世代3D TLC和QLC NAND以达到每秒2150 MB/1900MB的顺序读取/写入速度，同步满足主流与入门级手机、物联网设备以及车载应用的UFS3需求。慧荣科技最新的UFS控制芯片解决方案搭载先进的LDPC ECC技术和SRAM数据错误侦测与修正功能，能强化数据可靠性、提升效能并减少功耗。此外，支持最广泛的闪存，包括所有NAND大厂所生产的3D TLC和QLC NAND。「我们的SM2756采用6纳米EUV制程，满足了最新顶级智能手机对高效能、高容量与低功耗储存的需求，符合次世代AI的功能和应用。」慧荣科技终端与车用储存事业群资深副总段喜亭表示，全新的单通道SM2753 UFS控制芯片让我们能以更具成本效益、高效能与低功耗的产品，持续在广大且不断成长的UFS3市场中保持领先地位。据台媒《钜亨网》报道，最近两则消息向狂热的人工智能（AI）领域泼凉水：一是，Sora团队表示，OpenAI影像生成AI，Sora仍是一个研究计划，还不是一个产品，短期内不会向公众开放，甚至没有任何时间表；二是，Google、亚马逊等科技巨头悄悄下调对生成式AI的预期。Sora团队日前接受播客采访时表示，目前Sora的版本仍是一个研究计划，不能在 ChatGPT或其他地方使用。「什么时候把它变成一个产品，我们甚至没有任何时间表。我们正处于获取反馈阶段。我们肯定会改进它，但我们应该如何改进它是一个悬而未决的问题。」 OpenAI研究部门主管Tim Brooks说。Brooks表示，要听听安全专家的意见，让这项技术更安全，要听听艺术家的意见，让这项技术在工作流程中发挥作用。早期的回馈是，用户希望对影片生成有更多的控制，而不仅仅是文本提示。OpenAI在2月15日释出几段Sora制作的视频，Sora可根据文本指令生成60秒高画质流畅影片，可生成具有多个角色、特定类型运动及精确主题和背景细节的复杂场景。继文本、图像之后，OpenAI将AI技术延伸到影音领域。此外，据《The Information》报道，亚马逊、微软、Google等大型云服务供应商的内部消息显示，生成式AI热潮可能被过度夸大。上述公司内部已经开始向销售团队调整预期，强调目前生成式AI的技术与市场宣传出现落差。客户在对新AI服务的投资上表现出谨慎态度，担心成本高昂、准确性不够等问题。亚马逊CEO Andy Jassy曾多次向投资者表示，生成式AI将为亚马逊带来数十亿美元的收益。然而，面对目前的技术实际应用与预期之间的差距，他也坦承，这项技术当前的直接收益「相对较小」。业界专家指出，尽管生成式AI的技术潜力巨大，但目前仍处于初期阶段。许多企业仍在探索如何有效利用这项技术，寻求在不增加太多成本的前提下提高效率。
